用於晶圓檢測的高精度白光干涉儀
IMS5420 是一款高性能白光干涉儀，用於非接觸式測量單晶矽片的厚度。控制器配有一個經過數位化加強的發光二極體 (SLED)，波長範圍為 1100 nm。這樣，只需一個測量系統就能測量未摻雜、摻雜和高摻雜單晶矽片的厚度。IMS5420 的訊號穩定性小於 1 nm。厚度測量距離為 24 毫米。
晶圓厚度的精確測量
由於矽晶片是在 1100 nm 波長範圍內的光學透明度，IMS5420 干涉儀可以精確檢測其厚度。在此波長範圍內，未摻雜矽片和摻雜的矽片都具有足夠的透明度，因此，干涉儀可以檢測到最大 1.05 mm 的晶圓厚度。可測量的氣隙(air gap)厚度甚至可達 4 mm。
The IMS5420 interferometer enables the thickness measurement of undoped, doped and highly doped silicon wafers and thus offers a wide range of applications. This wafer thickness measuring system is ideal for the measurement of monocrystalline silicon wafers with a geometric thickness of 500 to 1050 µm and a doping of up to 6 m Ω cm. Even with highly doped wafers, thicknesses up to 0.8 mm can be measured. This results from the decreasing transparency with increasing doping.
在研磨過程中精確測量厚度
在晶圓製造過程中，晶體矽被切割成約 1 毫米的薄片。然後對薄片進行研磨，以獲得所需的厚度和表面光潔度。為了實現較高的工藝穩定性，干涉儀被用於晶圓研磨時的線上厚度測量。由於外型小巧，感測器還可以整合到狹小的安裝空間中。厚度值可用於機器控制和晶片品質控制。
多種機型適用於要求嚴苛的測量任務
| 型號 | 工作距離 / 起始量測距離 |
線性度 | 可測得層數 | 應用領域 |
|---|---|---|---|---|
| IMS5420-TH | 工作距離 IMP-NIR-TH24 約 24 毫米 (21 ... 27 毫米) | IMP-NIR-TH3/90/IP68 約 3 毫米 (1 ... 6 毫米) / 0.05 ... 1.05 毫米（適用於矽材料 / n=3.82），0.2 ... 4 毫米（適用於空氣，n=1） |
< ±100 nm | 1 層 | 線上厚度測量，例如打磨或拋光後的厚度測量。 |
| IMS5420MP | 一層 < ±100 nm 額外層數 < ±200 nm |
至多 5 層 | 線上厚度測量，例如用於塗層後的塗層厚度品質控制。 | |
| IMS5420/IP67 | 工作距離 IMP-NIR-TH24 約 24 毫米 (21 ... 27 毫米) / 0.05 ... 1.05 毫米 (適用於矽 / n=3.82)，0.2 ... 4 毫米 (適用於空氣，n=1) |
< ±100 nm | 1 層 | 在研磨和磨削過程中進行工業線上厚度測量。 |
| IMS5420/IP67MP-TH | 一層 < ±100 nm 額外層數 < ±200 nm |
至多 5 層 | 工業用線上厚度與多層測量技術於研磨與拋光製程中的應用 |
可與機器和系統整合的現代接口
控制器提供Ethernet、EtherCAT 和 RS422 等整合接口，以及額外的encoder連接、類比輸出、同步輸入和數位輸入/輸出。當使用 Micro-Epsilon 的接口模組時，還可以使用 PROFINET 和 EthernetIP。這樣就可以將干涉儀整合到所有控制的系統和生產程序中。
